Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIA936EDJ-T1-GE3數據表

SIA936EDJ-T1-GE3數據表
總頁數: 9
大小: 372.08 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SIA936EDJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 1
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 2
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 3
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 4
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 5
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 6
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 7
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 8
SIA936EDJ-T1-GE3數據表 頁面 9
SIA936EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SC-70-6 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® SC-70-6 Dual