SI5481DU-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 50nC @ 8V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1610pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱 PowerPAK® ChipFET™ Single |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 50nC @ 8V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1610pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱 PowerPAK® ChipFET™ Single |
