Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI5441DC-T1-GE3數據表

SI5441DC-T1-GE3數據表
總頁數: 5
大小: 114.6 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號: SI5441DC-T1-GE3, SI5441DC-T1-E3
SI5441DC-T1-GE3數據表 頁面 1
SI5441DC-T1-GE3數據表 頁面 2
SI5441DC-T1-GE3數據表 頁面 3
SI5441DC-T1-GE3數據表 頁面 4
SI5441DC-T1-GE3數據表 頁面 5
SI5441DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

1206-8 ChipFET™

包裝/箱

8-SMD, Flat Lead

SI5441DC-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

1206-8 ChipFET™

包裝/箱

8-SMD, Flat Lead