Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI5418DU-T1-GE3數據表

SI5418DU-T1-GE3數據表
總頁數: 9
大小: 141 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SI5418DU-T1-GE3
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 1
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 2
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 3
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 4
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 5
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 6
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 7
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 8
SI5418DU-T1-GE3數據表 頁面 9
SI5418DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® ChipFet Single

包裝/箱

PowerPAK® ChipFET™ Single