Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI4892DY-T1-GE3數據表

SI4892DY-T1-GE3數據表
總頁數: 5
大小: 88.1 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號: SI4892DY-T1-GE3, SI4892DY-T1-E3
SI4892DY-T1-GE3數據表 頁面 1
SI4892DY-T1-GE3數據表 頁面 2
SI4892DY-T1-GE3數據表 頁面 3
SI4892DY-T1-GE3數據表 頁面 4
SI4892DY-T1-GE3數據表 頁面 5
SI4892DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 12.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4892DY-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 12.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)