SI3853DV-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 LITTLE FOOT® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 500mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗(最大值) 830mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 LITTLE FOOT® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 500mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗(最大值) 830mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |