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SI2302DS數據表

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NXP
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制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

650mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3