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SCT2120AFC數據表

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Rohm Semiconductor
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SCT2120AFC

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 3.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3