RTU002P02T106數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 200mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 UMT3 包裝/箱 SC-70, SOT-323 |
