RQ3E180GNTB數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 18A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 4.3mOhm @ 18A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 22.4nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1520pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱 8-PowerVDFN |