RFD4N06LSM9A數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 600mOhm @ 1A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 8nC @ 10V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 30W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252AA 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |