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PMV65XP/MIR數據表

PMV65XP/MIR數據表
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Nexperia
此數據表涵蓋了3零件號: PMV65XP/MIR, PMV65XPVL, PMV65XP,215
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PMV65XP/MIR

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

744pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta), 4.17W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PMV65XPVL

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

744pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PMV65XP,215

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

744pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3