PMCM650VNE/S500Z數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.4nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1060pF @ 6V FET功能 - 功耗（最大值） 12.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-WLCSP (1.48x.98) 包裝/箱 6-XFBGA, WLCSP |
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.4nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1060pF @ 6V FET功能 - 功耗（最大值） 556mW (Ta), 12.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-WLCSP (1.48x.98) 包裝/箱 6-XFBGA, WLCSP |
