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PBLS2002S數據表

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NXP
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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

100MHz

功率-最大

1.5W

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO