NVMFD6H852NLWFT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 521pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） 3.2W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 521pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） 3.2W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
