NSBC123EPDXV6T1G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 2.2kOhms 電阻-發射極基(R2) 2.2kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-563 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 1kOhms 電阻-發射極基(R2) 1kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 187mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 1kOhms 電阻-發射極基(R2) 1kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-563 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 1kOhms 電阻-發射極基(R2) 1kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |