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MRF6S21100NR1數據表

MRF6S21100NR1數據表
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NXP
此數據表涵蓋了4零件號: MRF6S21100NR1, MRF6S21100NBR1, MRF6S21100MR1, MRF6S21100MBR1
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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-272BB

供應商設備包裝

TO-272 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270-4

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-272-4

供應商設備包裝

TO-272 WB-4