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MBR600200CTR數據表

MBR600200CTR數據表
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GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: MBR600200CTR, MBR600200CT, MBR600150CTR, MBR600150CT
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MBR600200CTR數據表 頁面 3
MBR600200CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR600200CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR600150CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR600150CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower