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MBR50040CTR數據表

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GeneSiC Semiconductor
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MBR50040CTR數據表 頁面 2
MBR50040CTR數據表 頁面 3
MBR50040CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50040CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50035CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50030CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50020CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50035CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50030CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR50020CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower