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MBR30H35PT-E3/45數據表

MBR30H35PT-E3/45數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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MBR30H35PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 35V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

MBR30H45PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

MBR3060PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 60V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

MBR3045PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P