IXFT12N100F數據表
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制造商 IXYS-RF 系列 HiPerRF™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 77nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2700pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-268 (IXFT) 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 IXYS-RF 系列 HiPerRF™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 54nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1870pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 180W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 (IXFH) 包裝/箱 TO-247-3 |
