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IXFR230N20T數據表

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IXYS
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制造商

IXYS

系列

GigaMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

156A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

378nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

ISOPLUS247™

包裝/箱

TO-247-3