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IXFK220N17T2數據表

IXFK220N17T2數據表
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IXYS
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制造商

IXYS

系列

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

170V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

制造商

IXYS

系列

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

170V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS247™-3

包裝/箱

TO-247-3