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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

IS43LD32640B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

IS43LD32640B-25BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

IS43LD16128B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

IS43LD32640B-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

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15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

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15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

IS43LD16128B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

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IS43LD32640B-25BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

IS43LD32640B-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

IS43LD32640B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

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15ns

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

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