IRLI640G數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.9A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 66nC @ 10V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1800pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.9A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 66nC @ 10V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1800pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |