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IRG5U100HF12B數據表

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Infineon Technologies
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IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

功率-最大

780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

12nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

POWIR® 62 Module

供應商設備包裝

POWIR® 62