IRF7809ATR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 75nC @ 5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7300pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 28V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1760pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 28V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1760pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 75nC @ 5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7300pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
