IRF6619TRPBF數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5040pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MX 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MX |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5040pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MX 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MX |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5040pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MX 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MX |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5040pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MX 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MX |
