IRF6604TR1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2270pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MQ 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MQ |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2270pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MQ 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MQ |
