Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

IRF640FP數據表

IRF640FP數據表
總頁數: 14
大小: 332.79 KB
STMicroelectronics
此數據表涵蓋了2零件號: IRF640FP, IRF640
IRF640FP數據表 頁面 1
IRF640FP數據表 頁面 2
IRF640FP數據表 頁面 3
IRF640FP數據表 頁面 4
IRF640FP數據表 頁面 5
IRF640FP數據表 頁面 6
IRF640FP數據表 頁面 7
IRF640FP數據表 頁面 8
IRF640FP數據表 頁面 9
IRF640FP數據表 頁面 10
IRF640FP數據表 頁面 11
IRF640FP數據表 頁面 12
IRF640FP數據表 頁面 13
IRF640FP數據表 頁面 14
IRF640FP

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MESH OVERLAY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

IRF640

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MESH OVERLAY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3