IPW60R330P6FKSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ P6 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 22nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1010pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 93W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ P6 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 22nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1010pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 93W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ P6 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 22nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1010pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 32W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-FP 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
