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IPP80P04P4L08AKSA1數據表

IPP80P04P4L08AKSA1數據表
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Infineon Technologies
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IPP80P04P4L08AKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3-1

包裝/箱

TO-220-3

IPI80P04P4L08AKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO262-3-1

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA