HGTG18N120BN數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 54A 電流-集電極脈沖（Icm） 165A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 18A 功率-最大 390W 開關能量 800µJ (on), 1.8mJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 165nC 25°C時的Td（開/關） 23ns/170ns 測試條件 960V, 18A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |
