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GA03JT12-247數據表

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GeneSiC Semiconductor
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GA03JT12-247

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc) (95°C)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 3A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AB

包裝/箱

TO-247-3