Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

FQI11P06TU數據表

FQI11P06TU數據表
總頁數: 9
大小: 1,040.71 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了1零件號: FQI11P06TU
FQI11P06TU數據表 頁面 1
FQI11P06TU數據表 頁面 2
FQI11P06TU數據表 頁面 3
FQI11P06TU數據表 頁面 4
FQI11P06TU數據表 頁面 5
FQI11P06TU數據表 頁面 6
FQI11P06TU數據表 頁面 7
FQI11P06TU數據表 頁面 8
FQI11P06TU數據表 頁面 9
FQI11P06TU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 53W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA