FGA25N120ANTDTU-F109數據表
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ON Semiconductor
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FGA25N120ANTDTU-F109, FGA25N120ANTDTU
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50A 電流-集電極脈沖（Icm） 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.65V @ 15V, 50A 功率-最大 312W 開關能量 4.1mJ (on), 960µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 200nC 25°C時的Td（開/關） 50ns/190ns 測試條件 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 350ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝 TO-3P |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50A 電流-集電極脈沖（Icm） 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.65V @ 15V, 50A 功率-最大 312W 開關能量 4.1mJ (on), 960µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 200nC 25°C時的Td（開/關） 50ns/190ns 測試條件 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 350ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝 TO-3P |
