Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

FDB6030BL數據表

FDB6030BL數據表
總頁數: 5
大小: 375.2 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號: FDB6030BL, FDP6030BL
FDB6030BL數據表 頁面 1
FDB6030BL數據表 頁面 2
FDB6030BL數據表 頁面 3
FDB6030BL數據表 頁面 4
FDB6030BL數據表 頁面 5
FDB6030BL

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

R-6

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDP6030BL

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3