Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

FDB52N20TM數據表

FDB52N20TM數據表
總頁數: 10
大小: 529.19 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了1零件號: FDB52N20TM
FDB52N20TM數據表 頁面 1
FDB52N20TM數據表 頁面 2
FDB52N20TM數據表 頁面 3
FDB52N20TM數據表 頁面 4
FDB52N20TM數據表 頁面 5
FDB52N20TM數據表 頁面 6
FDB52N20TM數據表 頁面 7
FDB52N20TM數據表 頁面 8
FDB52N20TM數據表 頁面 9
FDB52N20TM數據表 頁面 10
FDB52N20TM

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

UniFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB