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EPC2012數據表

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EPC2012

EPC

制造商

EPC

系列

eGaN®

FET類型

N-Channel

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

145pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Die

包裝/箱

Die