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EMG4T2R數據表

EMG4T2R數據表
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Rohm Semiconductor
此數據表涵蓋了3零件號: EMG4T2R, FMG4AT148, UMG4NTR
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EMG4T2R

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

供應商設備包裝

EMT5

FMG4AT148

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

SMT5

UMG4NTR

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

UMT5