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DMNH10H028SPSQ-13數據表

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Diodes Incorporated
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DMNH10H028SPSQ-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2245pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI5060-8

包裝/箱

8-PowerTDFN