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DMN67D8L-13數據表

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Diodes Incorporated
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DMN67D8L-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.82nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

340mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMN67D8L-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.82nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

340mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3