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DMN2026UVT-7數據表

DMN2026UVT-7數據表
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Diodes Incorporated
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DMN2026UVT-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.4nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.15W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSOT-26

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMN2026UVT-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.4nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.15W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSOT-26

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6