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DMN2011UFDE-13數據表

DMN2011UFDE-13數據表
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Diodes Incorporated
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DMN2011UFDE-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3372pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

610mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

U-DFN2020-6 (Type E)

包裝/箱

6-UDFN Exposed Pad

DMN2011UFDE-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2248pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

610mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

U-DFN2020-6 (Type E)

包裝/箱

6-UDFN Exposed Pad