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DMG6601LVT-7數據表

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Diodes Incorporated
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DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

422pF @ 15V

功率-最大

850mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

TSOT-26