Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

BSP372L6327HTSA1數據表

BSP372L6327HTSA1數據表
總頁數: 9
大小: 354.21 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了2零件號: BSP372L6327HTSA1, BSP372 E6327
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 1
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 2
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 3
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 4
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 5
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 6
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 7
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 8
BSP372L6327HTSA1數據表 頁面 9
BSP372L6327HTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 1.7A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±14V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

BSP372 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 1.7A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±14V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA