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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-92-3

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)