BSC029N025S G數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 80µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 41nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5090pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TDSON-8-1 包裝/箱 8-PowerTDFN |