6HP04CH-TL-W數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.84nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 24.1pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-CPH 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
