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55GN01CA-TB-E數據表

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ON Semiconductor
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55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

9.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

3-CP